中文摘要：

本课题通过改变生长气源和利用氢稀释以及薄膜淀积与氢等离子处理交替进行的生长技术制备了具有四面体键合的半导体碳薄膜，并利用氮等离子表面处理技术制备了掺杂碳膜。研究表明用有机碳源制备碳膜时，薄膜中含有一定量的基于苯环组态的结构，这种结构会引入新的发光中心，导致室温下强的蓝光和绿光发射，使得实现碳基蓝绿光发光二极管成为可能。另一方面，利用氢等离子体作用，抑止了碳膜中类石墨结构的生长，形成了镶嵌于类金刚石结构中的纳米尺度的类石墨结构，由此所引起的场增强效应大大改善了薄膜的场发射特性，开启电场低于1V/μm同时稳定性也有了较大提高。现已在国内外学术刊物上发表论文十余篇，较好地完成了基金的预期研究目标。

结论摘要：

本课题通过改变生长源和利用氢稀释以及薄膜淀积与氢等离子处理交替进行的生长技术制备了具有四面体键合的半导体碳薄膜，并利用氮等离子表面处理技术制备了掺杂碳膜。研究表明用有机碳源制备碳膜时，薄膜中含有一定量的基于苯环组态的结构，这种结构会引入新的发光中心，导致室温下强的蓝光和绿光发射，使得实现碳基蓝绿光发光二极管成为可能。另一方面，利用氢等离子体作用，抑止了碳膜中类石墨结构的生长，形成了镶嵌与类金刚石结构中的纳米尺度的类石墨结构，由此所引起的场增强效应大大改善了薄膜的场发射特性，开启电场低于 1v/μm，同时稳定性也有了较大提高。现已在国内外学术期刊上发表论文十本课题通过改变生长源和利用氢稀释以及薄膜淀积与氢等离子处理交替进行的生长技术制备篇，较好地完成了基金的预期研究目标。