中文摘要：

在过渡族金属氧化物中发现的界面电致电阻效应具有高的电阻变化率，快的响应时间，可以在室温下发生并具有不丢失性，因此这一类关联电子氧化物被认为是新兴非挥发性电阻式存储器(RRAM)的理想候选材料。日韩等国的一些国际知名公司已竞相对RRAM进行研发，相关技术部分已经形成专利。尽管氧化物电致电阻效应有明确的应用背景，人们目前对其物理起源还缺乏清楚的认识。本项目拟通过对过渡族金属氧化物薄膜及其微纳尺度结构的制备, 系统考察关联电子氧化物/金属界面以及关联氧化物/氧化物电极材料界面的电输运过程, 研究氧化物处于不同磁电极化状态下非平衡载流子的界面注入效应以及它对界面电阻切换特性的影响. 通过以上研究, 我们希望最终澄清界面电致电阻效应的物理机制。这对突破国外有关专利限制, 形成具有自己知识产权的RRAM 器件，以及对其它新型器件的设计开发具有重要意义。