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GaN核探测器辐照损伤机制研究
项目名称:GaN核探测器辐照损伤机制研究
项目类别:青年科学基金项目
批准号:61504099
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:吕玲
依托单位:西安电子科技大学
批准年度:2015
成果综合统计
成果类型
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著作
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期刊论文
Investigation of etching method for fabricating deep through holes on ultra-high resistivity silicon
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