中文摘要：

物理侧向沉积是本申请人首先提出的一种新型的在纳米线中引入应变的方法，具有引入应变连续可控、应变沿轴向分布均匀、应变值可以较大、可大规模处理纳米线阵列等优点。本项目以这种方法为基础，进一步探讨在一定应变存在下，氧化锌纳米线的压电光电子学效应及二氧化钒纳米线的金属-绝缘体相变。前者重点研究氧化锌作为一种同时具有压电性质和半导体性质的材料，在应变存在下，压电电位作为门电压来调控其内部的载流子输运性质，进而影响其光致发电与电致发光性能的效应，为新概念光电池、紫外传感器、发光二极管的开发提供思路；后者重点研究二氧化钒纳米线作为一种强关联电子体系的金属-绝缘体相变，探讨其在应变存在的情况下相变点的变化以及相变前后电学、光学性质的变化，尝试将其相变点降至室温，为新型智能温敏纳米器件的制作解决基础理论和关键技术问题，有望在更加深入的理论研究和大规模器件制作方面取得突破。