位置:立项数据库 > 立项详情页
高功率、高光束质量、波长稳定VBG外腔线阵半导体激光器
  • 项目名称:高功率、高光束质量、波长稳定VBG外腔线阵半导体激光器
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:61176048
  • 申请代码:F040302
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2012-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:高欣
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:长春理工大学
  • 批准年度:2011
中文摘要:

线阵半导体激光器具有电光转换效率高、可靠性好、工艺简单、输出功率高等优点,同时存在输出光谱宽、光谱温漂大、光束质量差的缺点,限制了更为广泛的应用需求。体光栅(VBG)作为一种新型光栅器件,具有极窄的衍射带宽、很高的衍射效率及较高的温度稳定性,可用于大功率外腔激光器的设计、改善其输出特性。本项目提出了一种基于VBG元件的外腔线阵半导体激光器,以改善高功率半导体激光器的光束质量和光谱特性。项目的创新点在于(1)提出紧凑的倾斜体光栅外腔激光器结构;(2)采用光子晶体结构方法实现激光器的超宽波导,改善外腔激光器的腔耦合效率。预期目标实现50W功率输出的体光栅外腔线阵半导体激光器,输出光束慢轴发散角小于2 、快轴发散角小于10 ,光谱宽度小于0.2nm,光谱温漂系数小于0.01nm/℃。

结论摘要:

线阵半导体激光器具有电光转换效率高、可靠性好、工艺简单、输出功率高等优点,同时存在输出光谱宽、光谱温漂大、光束质量差的缺点,限制了更为广泛的应用需求。体光栅(VBG)作为一种新型光栅器件,具有极窄的衍射带宽、很高的衍射效率及较高的温度稳定性,可用于大功率外腔激光器的设计、改善其输出特性。本项目设计了倾斜光栅平面VBG元件的外腔线阵半导体激光器,以改善高功率半导体激光器的光束质量和光谱特性。开展了以下方面的研究工作(1)倾斜VBG外腔线阵半导体激光器结构设计;(2)808nm波长宽波导半导体激光器的设计与制备工艺;(3)倾斜VBG外腔宽条形半导体激光器原理实验与特性分析;(4)倾斜VBG外腔线阵半导体激光器原理实验与特性分析。通过激光器芯片的PBC宽波导设计、工艺制备与外腔参数优化实现了52W以上功率输出的808nm波长体光栅外腔线阵半导体激光器,输出光束慢轴发散角为1.9°、快轴发散角为2.8mrad,光谱宽度为0.18nm,光谱温漂系数约0.009nm/℃。线阵外腔器件阈值约为12A,斜率效率为0.9W/A。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 38
  • 8
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
相关项目
期刊论文 3 会议论文 1 著作 1
高欣的项目