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非磁性GeTe/Sb2Te3超晶格薄膜及存储单元磁阻效应及其物理机制基础研究
  • 项目名称：非磁性GeTe/Sb2Te3超晶格薄膜及存储单元磁阻效应及其物理机制基础研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61474052
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：程晓敏
  • 依托单位：华中科技大学
  • 批准年度：2014
程晓敏的项目
纳米电流通道结构垂直磁隧道结自旋转移磁化反转研究
期刊论文 4 会议论文 2 专利 3