氧等离子体对III-V族氮化物的光学、电学性质影响的研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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氧等离子体对III-V族氮化物的光学、电学性质影响的研究

项目名称：氧等离子体对III-V族氮化物的光学、电学性质影响的研究
项目类别：青年科学基金项目
批准号：60406007
申请代码：F040301
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2005-01-01-2007-12-31

项目负责人：陈志忠
负责人职称：副教授
依托单位：北京大学
批准年度：2004

中文摘要：

低接触电阻率的p型氮化物欧姆接触一直没有很好的解决。高温氧气氛下的表面处理和p电极合金是解决上述问题的可能途径。但是高温氧气处理会对材料表面造成损伤，氧化慢，难以控制。低温等离子体是干法腐蚀氮化物的反应物质，由于其较高的化学活性，灵活的处理工艺，热损伤小，可以对材料进行可控的改性。等离子体氧化对p型氮化物表面处理和p电极合金的影响的研究目前还没有报道，该项研究将对将为p型欧姆接触的制备提供一个新的

中文主题词：等离子体；III-V族氮化物；p型激活；欧姆接触；氧化

英文摘要：

plasma;III-V nitrides; p-type

英文主题词： plasma;III-V nitrides; p-type

结论摘要：

III-V族氮化物半导体低接触电阻率的p型欧姆接触的制备受限于P-GaN掺杂剂Mg激活的困难以及高温氧化Au/Ni/p-GaN的工艺控制的困难。高温氧气处理会对材料表面造成损伤，氧化慢。低温等离子体是干法腐蚀氮化物的反应物质，由于其较高的化学活性，灵活的处理工艺，热损伤小，可以对材料进行可控的改性。该项研究有效地提高了P-GaN的激活效率，降低Au/Ni/P-GaN接触电阻率，对功率型氮化物器件制备工艺有重要的意义。本项目通过不同条件下的等离子体对材料性质和金属-半导体接触的影响来研究等离子体的氧化机理。具体内容包括（1）等离子体氧化对氮化物电学、光学特性的影响，研究刻蚀缺陷及其恢复的机理；（2）表面等离子体氧化对p型GaN欧姆接触的作用机理研究，得到改进的欧姆接触制备工艺，LED 20mA下正向偏压比常规工艺低0.2V；（3）氧等离子体处理增强P-GaN激活的研究，研究得到优化的清洗，激活，损伤修复等工艺，P型载流子浓度比常规工艺提高2-3倍。本项目将有效地提高p-GaN激活浓度，并降低P-GaN接触电阻，扩大氮化镓器件的使用范围，同时还促进等离子体物理与半导体物理交叉学科的发展

成果综合统计