研究PST-PT铁电薄膜的结构相变规律与异质结特性、掌握PST-PT铁电薄膜的介电和铁电性能与B位离子的关系、深入揭示B位离子的半径、原子重量、电子结构等对PST-PT薄膜的制备与性能影响关系。利用现代薄膜制备技术,在较低的温度下(~650℃)在多种衬底上制备性能优良的PSTT铁电薄膜、掌握PST-PT铁电薄膜的电学特性(特别是电场偏置下热释电性能)、红外探测特性的表征理论和表征方法,这对发展我国
本项目经过三年的研究,主要取得了以下研究成果 1、利用氧化物法制备了Pb(Sc0.5Ta0.5)O3(PST)-PbTiO3(PT),PST-Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT)铁电陶瓷。发现x=0.45时(1-x)PST-xPT有较好的压电、铁电性能;而x=0.1时(1-x)PST-xPZT 有较高的热释电性能。 2、发明了铅基铁电薄膜的"RFMS-SBP"制备方法;利用"RFMS-SBP"方法,在多种衬底上制备出了(100)、(110)等高度择优取向的铅基铁电薄膜, 取向度为85~92%;薄膜材料性能优良。 3、利用PFM 观察到尺寸在20~60nm的纳米带状a-a 90o畴普遍存在于(111)择优取向的PLT 薄膜之中。长程弹性能是PLT10 薄膜中90 畴形成的主要原因。在该项目支持下,主持编著了《电子与光电子材料》一本教材,已由国防工业出版社于2007年8月出版。已经发表论文13篇,获得国家发明专利一项、培养博士3人(其中2人获得博士学位),硕士5人(其中3人获得硕士学位)