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背照式CMOS图像传感器像素结构的累积辐射效应与机理研究
项目名称:背照式CMOS图像传感器像素结构的累积辐射效应与机理研究
项目类别:面上项目
批准号:11675259
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:李豫东
依托单位:中国科学院新疆理化技术研究所
批准年度:2016
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现
李豫东的项目
基于像素单元的CMOS图像传感器辐射损伤机理研究
期刊论文 16