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面向与IC工艺兼容的Si（100）衬底高亮度3D发光器件研究
  • 项目名称：面向与IC工艺兼容的Si（100）衬底高亮度3D发光器件研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51472229
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：袁国栋
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
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期刊论文
Effects of etching conditions on surface morphology of periodic inverted trapezoidal patterned Si（100） substrate
袁国栋的项目
纳米线晶体管器件及其表/界面特性研究
期刊论文 1
低成本多孔黑硅材料可控制备及其太阳能电池研究
期刊论文 6