中文摘要：

研究了一种硼-10 转换体和THGEM相结合的热中子位置灵敏探测器。中子位置灵敏探测，是无损检测、散裂中子源等大科学实验装置中的重大技术需求，在工业和医学领域也存在广泛的应用前景。采用激光镀膜法（PLD），研究了硼膜的形成。发现以铝层作为过渡，衬底温度200摄氏度下，硼可以在聚酰亚胺衬底上均匀成膜，性能稳定。采用GEANT4.0 和MCNP模拟，确定膜在厚度2.4微米时，转换和离子出射效率达到折中，探测效率达到最佳。用Maxwell建模，Garfield模拟确定THGEM参数。利用国内力量制成THGEM及读出电极。研制成基于ASIC的2x64通道读出电路和基于FPGA 控制和通讯电路。建立起一台热中子成像用镅铍中子源。完成了探测器结构加工及组装，正在进行实验。