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中文摘要：
In4Se3-δ具有内禀准二维结构，室温下热电势S较高(～-500μVK-1)，热导率κ较低(～1Wm-1K-1), 700K时ZT值约为1，具有广阔的应用前景。但其载流子浓度n较低(～1017cm-3)，电阻率ρ较大(～10-3Ωcm)，使得功率因子PF较低。如何有效降低ρ并维持较大S成为提高ZT值的关键。对此问题，我们将Bi、Pb、Gd、Nd等元素引入范德瓦尔斯层，形成夹层化合物MxIn4Se3-δ，M的电荷转移可增加n，降低ρ，提高PF；而M的"晃动"可增强声子散射使κ减小，从而提高ZT值。此外，利用夹层与δ的调节组合来提高ZT值。本课题采用球磨结合热压技术制备MxIn4Se3-δ多晶材料。通过调节M、x、δ，研究其对MxIn4Se3-δ热电性能的影响规律和机理，探讨其对In4Se3-δ的电荷密度波和派尔斯畸变的影响规律及机制，为提高In4Se3-δ的热电性能奠定可靠的实验基础。
结论摘要：
英文主题词thermoelectric properties；electrical resistivity；thermopower；thermal conductivity；
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