中文摘要：

运用理论分析、模拟计算及实验验证等方法研究一种适合高分辨力接近接触式的新型纳米对准技术。重点研究这种对准技术的基本原理、对准标记参数及对准标记排列方式对对准精度的影响规律；对准标记的设计制作；基于该技术提高对准精度及对准效率的计算方法；掩模、硅片间隙变化对对准精度的影响；间隙介质对对准精度的影响以及该对准方法在不同光刻技术条件下的工艺适应性等。这种新型光刻对准技术具有纳米级对准精度、不受套刻次数的影响、可同时精确测量掩模硅片之间曝光间隙等诸多优点，本项目研究具有重要的应用前景。