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磁随机存储器中电流诱导磁化翻转行为的研究
  • 项目名称：磁随机存储器中电流诱导磁化翻转行为的研究
  • 项目类别：重大研究计划
  • 批准号：90607020
  • 申请代码：F010707
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-07-01-2008-12-31
  • 项目负责人：姜勇
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：北京科技大学
  • 批准年度：2006
中文摘要：

磁随机存储器(MRAM)研究中所遇到的难题之一就是如何大幅度提高其信息存储密度。由于磁性存储元件尺寸减小到亚微米或纳米尺寸会带来强大的退磁场效应，高存储密度的MRAM所需要的写入电流也大幅度的增加，即写入能耗大大增加，这严重阻碍了MRAM存储密度的提高。近年来的研究表明，运用自旋极化电流所带来的自旋矩转换效应翻转磁性存储元件的磁矩也可以实现信息存储。这种存储方式非常有利于大幅度提高MRAM的存储密

中文主题词： 磁随机存储器;自旋阀;铁磁性隧道结;电流诱导磁化翻转
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