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中文摘要：
单壁碳纳米管的轴向能带工程的基本思路是在超长碳纳米管的不同部位进行局域的能带调制。基于这一研究思想，通过表面控制生长方法制备平行超长单壁碳纳米管阵列，通过生长基底的异质设计、SPM操纵等方法对平行阵列中的碳纳米管沿轴向进行能带调制，结合电子束刻蚀和真空蒸镀技术引入电极，构建新型碳纳米管基纳电子器件。建立环境气氛和温度可控的纳电子器件电输运性质测试系统，系统考察各种因素对碳纳米管基纳电子器件的电输运性质影响,从而检测上述方法对碳纳米管的能带调控程度。
结论摘要：
英文主题词SWNTs, Nano Device, band gap tune, electronic transport properties
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