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宽带隙半导体激光器件关键科学问题研究
  • 项目名称：宽带隙半导体激光器件关键科学问题研究
  • 项目类别：专项基金项目
  • 批准号：61223005
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：杜国同
  • 依托单位：吉林大学
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 4
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期刊论文
局域表面等离激元对InGaN／GaN多量子阱发光效率的影响
湿化学腐蚀法制备808纳米砷化镓基激光二极管的脊形波导
Impact of GaN transition layers in the growth of GaN epitaxial layer on silicon
温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响
杜国同的项目
ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究
期刊论文 36 专利 1
2003年ZnO 及其相关材料与器件国际会议
ZnO材料的研究以用作多晶体光电装置的发展
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垂直腔面发射激光器的纵模行为研究
MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制
高功率短相干长度半导体集成光源
SiC为衬底制备InGaN绿光激光器及其关键科学问题研究
期刊论文 2
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期刊论文 63 专利 8
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