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制备拥有三临界点的高性能外延无铅压电薄膜
  • 项目名称:制备拥有三临界点的高性能外延无铅压电薄膜
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:11204233
  • 申请代码:A040209
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:杨耀东
  • 依托单位:西安交通大学
  • 批准年度:2012
中文摘要:

本项目将采用脉冲激光沉积的方法,制备拥有三相临界点的高性能外延无铅压电薄膜。在前期从高性能无铅压电块体材料的研究中得出的三临界普适理论指导下,拥有三相临界点的薄膜也将具有优异的压电性能,并有望借助外延技术突破瓶颈,提高无铅材料的居里温度。申请人将对薄膜的定向生长条件,成膜机理,压电性能进行研究,寻找出合适的靶材组分,基板取向,以及其他关键生长条件。并从多尺度入手探索薄膜的微观结构,位错,铁电畴,生长取向和电学性能之间的关系,揭示其中的物理机制。希望通过外延薄膜技术使得无铅压电材料的压电系数和居里温度都得到提升。目标是把薄膜压电系数提高50%以上,无铅材料的居里点从不到50摄氏度提高80摄氏度以上。

结论摘要:

英文主题词Lead-free piezoelectric material;morphotropic phase boundary;ferroelectrics;Curie temperature;barium titanate


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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