中文摘要：

控制半导体中电子的自旋使其实现信息的记忆是量子信息和量子计算的关键，而电子自旋记忆的损失主要源自于电子的自旋弛豫，自旋弛豫是自旋电子学的核心问题之一。寻求有效的方式使自旋能够保持足够长的时间并产生预期的效应是自旋电子学的主要任务之一。本项目的研究旨在通过有效的方式对电子的自旋进行有目的地调控以优化器件性能。同时利用量子阱结构设计、掺杂、电场等因素调控不对称量子阱的能带自旋分裂和电子自旋弛豫，探究不对称量子阱的能带自旋分裂及其各向异性影响电子自旋弛豫的物理机制，实现对电子自旋弛豫的人工调控，并希望设计出高速且实验上比较容易实现的自旋电子器件。通过本项目的研究为设计新型量子器件、实现量子计算和量子信息提供物理依据。