中文摘要：

残留、碟型凹陷和腐蚀是铜互连CMP的主要缺陷，严重影响了芯片的良率。终点检测技术可准确预测抛光终点，避免欠抛或者过抛，进而有效减少残留等缺陷的发生。随着研究的深入，传统的终点检测方法已显粗糙。此外，国家IC制造装备技术的发展也对铜互连CMP终点检测提出了要求。离子选择电极（ISE）技术已发展成为较成熟的技术并已在众多领域得到了应用，尤其是300mm晶圆铜互连CMP样机的成功研制，使进一步探索基于ISE的电化学终点检测方法成为可能。本项目首次将ISE技术引入300mm晶圆铜互连CMP终点检测领域，研制可用于不同抛光液体系的ISE电位测定系统，研究CMP缺陷的产生机制以及相应的ISE响应特性，探讨CMP过程中ISE电位及其演化规律与CMP缺陷产生的内在关系，建立基于ISE电位及其演化规律的终点检测方法，进而发展基于ISE的电化学终点检测技术，为铜互连CMP终点检测提供新的技术手段和技术支持。