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基于中子辐照的宽禁带半导体材料的物性研究
  • 项目名称：基于中子辐照的宽禁带半导体材料的物性研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51372056
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：宋波
  • 依托单位：哈尔滨工业大学
  • 批准年度：2013
宋波的项目
双元素复合掺杂SiC基稀磁半导体的制备与物性研究
期刊论文 10
宽禁带半导体材料
二维晶体MX2（M=Mo, W；X= S, Se）电催化剂的活性位点,电输运调控及其协同催化机理研究
Mn基反钙钛矿结构不同位置取代对磁性和电输运性质的调控研究
期刊论文 29