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基于3D集成技术的纳米硅量子点非挥发性存储器芯片的研制与性能优化
项目名称:基于3D集成技术的纳米硅量子点非挥发性存储器芯片的研制与性能优化
项目类别:重点项目
批准号:61634003
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:马忠元
依托单位:南京大学
批准年度:2016
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
有序可控纳米银球阵列对a-SiNx∶O薄膜光致发光增强的研究
马忠元的项目
有序可控纳米硅量子点阵列在新型硅基阻变存储器中的应用及其阻变机制探究
期刊论文 2
基于纳米硅多层量子点结构的高密度浮栅存储器的构建及特性研究
期刊论文 9
专利 5