欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
半导体异质结构(包括SOI、SOS材料)
项目名称:半导体异质结构(包括SOI、SOS材料)
项目类别:国家杰出青年科学基金
批准号:60025409
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:徐现刚
依托单位:山东大学
批准年度:2000
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
7
0
0
0
0
期刊论文
同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构
SiC单晶片的超精密加工
GaP/GaN核壳型纳米复合材料的制备
反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响
温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响
Micro-Raman光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构
Fine Machining of Large-Diameter 6H-SiC Wafers
徐现刚的项目
6英寸SiC单晶生长炉的研制
期刊论文 4
SiC单晶衬底制备
期刊论文 4