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GaN稀磁半导体的离子注入制备和特性研究
  • 项目名称：GaN稀磁半导体的离子注入制备和特性研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：10205010
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：石瑛
  • 依托单位：武汉大学
  • 批准年度：2002
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 7
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期刊论文
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石瑛的项目
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期刊论文 9