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频率高度稳定的单模852nm半导体激光器
  • 项目名称:频率高度稳定的单模852nm半导体激光器
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:10374085
  • 申请代码:A040403
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2004-01-01-2006-12-31
  • 项目负责人:陈良惠
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院半导体研究所
  • 批准年度:2003
中文摘要:

半导体激光器具有发射光谱线窄,光能密度大,电能消耗小,波长平滑连续可调节等优秀的特性,它已经成为理想的光谱学光源。852nm的单频半导体激光器在以下领域有着重要的应用。在铯原子束频标中,它是激光抽运过程中的泵浦光源,地位非常重要。在遥感测量领域,它可以作为多普勒速度干涉仪的光源。在原子物理学实验中它被用来研究与铯原子的物理学现象。在光冷却和光俘获领域,科学家使用来自各个方向的852nm激光束将原子

结论摘要:

852nm单模半导体激光器在以下领域有着重要的应用在铯原子束频标中,它是激光抽运过程中的泵浦光源;在遥感测量领域,它可以作为多普勒速度干涉仪的光源。在原子物理学试验中它被用来研究与铯原子相关的物理学现象;在光冷却和光俘获领域,可以利用852nm激光束实现原子的三维冷却;在非线性光学里,它被用于光学倍频得到426nm的激光。在以上诸多应用中,以其在铯原子束频标中的应用最为重要。因为铯原子束频标是被外国封锁的技术,而单纵模852nm半导体激光器又是在铯原子束频标中不可或缺的泵浦光源。在本项目中,我们设计了波长为852nm的分布反馈(DFB)半导体激光器和分布布拉格反射镜(DBR)半导体激光器。在此基础上,外延出满足要求的外延片并自主制作出光栅。通过不断的实验优化,所制作的器件性能不断提高,阈值电流可降到20mA以下,无扭折最大输出功率可达单面100mW以上,线宽小于6MHZ的器件,达到并超出了项目的指标。本项目的研究打破了外国技术封锁,填补了国内空白。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 7
  • 1
  • 0
  • 0
  • 0
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