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高性能相变存储技术
项目名称:高性能相变存储技术
项目类别:国际(地区)合作与交流项目
批准号:61261160500
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:宋志棠
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年度:2012
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
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宋志棠的项目
半导体相变存储器
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