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半导体缺陷的计算模拟方法发展
项目名称: 半导体缺陷的计算模拟方法发展
批准号:15SG20
项目来源:上海市2015年度“曙光计划”项目
研究期限:2016-05-
项目负责人:陈时友
依托单位:华东师范大学
批准年度:2015
陈时友的项目
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