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垂直结构InGaN 薄膜太阳能电池研究
项目名称:垂直结构InGaN 薄膜太阳能电池研究
项目类别:面上项目
批准号:61274052
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:张保平
依托单位:厦门大学
批准年度:2012
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
3
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期刊论文
InGaN/GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究
激光剥离GaN表面的抛光技术
GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展
张保平的项目
III族氮化物半导体微谐振腔中自发辐射特性研究
GaN基垂直腔面发射激光器基础研究
期刊论文 1
氮化物半导体非对称耦合微纳结构光学性质研究
期刊论文 18
会议论文 3
蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器
厚度渐变ZnO基量子阱研究
激光剥离GaN表面纳米级平整度的控制
期刊论文 18
会议论文 2