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薄膜场效应晶体管阵列与非晶发光器件的单片集成
项目名称:薄膜场效应晶体管阵列与非晶发光器件的单片集成
项目类别:面上项目
批准号:68976026
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:陈治明
依托单位:西安理工大学
批准年度:1989
陈治明的项目
在SiC衬底上生长SiCGe及其在光控SiC功率器件中的应用
期刊论文 4
会议论文 4
著作 3
用硅衬底上的β碳化硅外延膜进行β碳化硅晶体液相生长
以SiC为衬底的Si/SiC异质结制备及其光电特性
期刊论文 7
会议论文 1
非晶碳化硅的电致发光特性及大面积发光二极管
第3届国际先进技术材料学术研讨会暨第9届国际先进材料学术研讨会
SiCGe/SiC异质结光电二极管及其光电特性研究
期刊论文 19
会议论文 14
线性开关电容DC-DC变换器及其集成化问题
期刊论文 1
改善集成开关电容DC-DC变换器的输出特性
基于Si/SiC异质结的非紫外光控SiC大功率电力电子器件可行性研究
期刊论文 34
会议论文 15