类钙钛矿结构CaCu3Ti4O12(CCTO)在很宽的频率范围内(<1 MHz)具有很高的介电常数、较低的介质损耗、良好的介电热稳定性、以及烧结温度低等优点,已经成为无机非金属材料领域的研究热点。但是,该陶瓷在烧结过程中晶粒易于长大,烧结后介电偏压性能差,击穿电压低,这些缺点制约了它在电容器方面的应用。由于CCTO介电性能对晶粒尺寸有很强的依赖性,本项目采用热压烧结或等离子体烧结工艺制备CCTO微/纳米晶陶瓷,研究制备条件对材料微观结构和介电性能的影响,理论上探索CCTO介电-晶粒尺寸效应机理,应用上采用掺杂改性和颗粒包裹技术制备核-壳结构CCTO基复相陶瓷,抑制晶粒生长、提高晶界的绝缘性,旨在研制介电常数适中、损耗低、介电非线性小、并有良好热稳定性和抗电击穿特性的材料,为CCTO在低温烧结多层陶瓷电容器(MLCC)领域的应用提供实验依据。