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甚长波InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格探测器材料及其新型界面研究
  • 项目名称：甚长波InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格探测器材料及其新型界面研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：61307116
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：张艳华
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器
Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector
张艳华的项目
反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料及其器件研究