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　2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究
  • 项目名称：　2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究
  • 批准号：2014CB643900
  • 项目来源：国家重点基础研究发展计划和重大科学研究计划2014年项目
  • 研究期限：2014-01-
  • 项目负责人：王庶民
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 4
  • 0
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期刊论文
Structural and Optical Properties of Point Defects in α-SiO2Cluster
FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正
FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正
2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器
王庶民的项目
应用于非制冷激光器的新型稀铋半导体材料研究
期刊论文 3