中文摘要：

随着IC 集成封装中嵌入式无源技术的发展及对电容器电容密度要求的提高，高介电聚合物基复合材料的发展成为影响电子器件微型化、高速化的关键因素。本项目以聚酰亚胺(PI)为基体，以碳纳米管-酞菁铜（CNTs-CuPc）为填充物，主要利用CNTs的低渗流阈值和CuPc的高介电性，以期获得柔性高介电纳米复合材料。首先对CNTs进行改性、制备羧基CuPc，通过酯化反应在CNTs表面包覆一薄层CuPc获得（CNTs-CuPc）。然后通过原位聚合法制备（CNTs-CuPc）/PI纳米复合材料，使得CuPc在CNTs与PI之间起到"桥连"作用，促使CNTs-CuPc在基体中均匀分散、改善复合体系的界面结构。通过对复合材料制备工艺参数的优化，从试验和理论上研究各组分的物化性质、配比及相容性对复合材料介电性能的影响规律，探索三组分纳米复合介电材料高介电的形成机制。研究目标的实现将有助于推动微电子工业的快速发展。