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多层薄膜固相反应与Co-Ni系硅化物薄膜外延及应用研究
  • 项目名称：多层薄膜固相反应与Co-Ni系硅化物薄膜外延及应用研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：60106002
  • 申请代码：F040601
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2002-01-01-2004-12-01
  • 项目负责人：茹国平
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：复旦大学
  • 批准年度：2001
中文摘要：

在本课题组前期研究基础上，深入研究多层薄膜固相反应和中间层诱导固相外延Co-Ni系金艄杌锉∧げ牧现票负推骷τ眉际酰沂径嗖惚∧す滔喾从媛珊椭屑洳阌盏脊滔嗤庋踊恚冉隙嘀中滦妥远宰脊杌锕ひ斩郧硃n结、肖特基结特性的影响，为发展先进微电子骷峁┙鹗艄杌锉∧ば虏牧虾托录际酰刮夜诮鹗艄杌镅芯苛煊虼τ诠是傲小

中文主题词： 金属硅化物；中间层诱导固相外延；固相反应；肖特基接触；Co-Ni系硅化物
结论摘要：

英文主题词Metal silicide; interlayer mediated solid phase epitaxy (IMSPE); solid-state reaction; Schottky contact; Co-Ni silicide

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 15
  • 3
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
Surface and interface morphology of CoSi2 films formed by multilayer solid-state reaction
Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi2
Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi2薄膜
Ni/Si solid phase reaction studied by temperature-dependent current-voltage technique
The reaction characteristics of ultra thin Ni film on undoped and doped Si (100)
Nickel silicidation on n and p-type junctions at 300oC
Thermal stability, phase and interface uniformity of Ni-Silicide formed by Ni-Si solid-state reactio
Solid-phase reaction and Schottky contact properties of Co/n-poly-Si0.84Ge0.16/n-Si (100)
Schottky contact properties of Ni/n-poly-Si0.87Ge0.13/n-Si(100) heterostructure
Schottky barrier characteristics of ternary silicide Co1-xNixSi2 on n-Si(100) contacts formed by sol
Voltage dependence of effective barrier height reduction in inhomogeneous Schottky diodes
Ramp rate dependence of NiSi formation studied by the silicided Schottky contact
Nickel silicide formation on shallow junctions
Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响
会议论文
Dopant redistribution induced by Ni silicidation at 300 oC
The inhomogeneity of Co/p-poly-Si0.84Ge0.16 Schottky contact
Annealing process influence and dopant-silicide interaction in self-aligned NiSi technology
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