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中文摘要：
针对准二维材料的能带- Mott 绝缘体相变，本项目致力于发现相变的物理图像，并努力建立合理的唯象描述。本项目用含有交替格点位势的Hubbard 模型来研究准二维材料的Band-Mott 转变. 本项目从弱库仑相互作用出发来探索强相互作用时的物理, 着重研究基本元激发的塌缩和凝聚导致的相变以及新相的拓扑序. 从弱库仑相互作用出发, 我们用微扰论和密度矩阵重整化群计算得到元激发能隙等性质随相互作用的变化。为我们进一步描述元激发和它们间相互作用的低能有效Hamiltonian, 分析相边界处的临界性质打下了基础.
结论摘要：
英文主题词renormalization group, band gap, Mott gap, exciton band gap
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