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HEDP法材料表面金属化及界面研究
  • 项目名称:HEDP法材料表面金属化及界面研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:59871060
  • 申请代码:E0104
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:1999-01-01-2001-12-01
  • 项目负责人:杨思泽
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院物理研究所
  • 批准年度:1998
中文摘要:

异质材料结合的界面研究是近年来材料研究的热点之一,本课题采用脉冲高能量密度等离子(HEDP)枪对氧化铝、氮化铝和氮化硅等纯陶瓷以及纯硅片材料基片表面进行金属化,进而对于金属膜/基底界面的微观和宏观行为进行了研究。研究结果表明,用脉冲HEDP法材料表面金属化,即使对于结构、组织和性质差异较大的异质材料界面,金属元素与材料界面也会发生化学反应,形成化合物,使得界面结合非常牢固。用划痕法无法测出其结合力,膜与基底间没有明显界面。与其它方法相比,表面导电性能也有很大地提高。我们采用高分辨率电镜及横截面样品制备技术,在原子级水平上对上述系统界面的微以结构进行了研究,探讨了强界面结合力的微观机制。

结论摘要:

英文主题词High Energy Density Plasma(HEDP); Metallization; Modification of Interface


成果综合统计
成果类型
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