中文摘要：

ZnS是一种重要的II-VI族直接带隙半导体，在显示器、传感器、激光和催化等领域有着广泛的应用。由于量子限制效应与表面效应，纳米尺度下的ZnS材料显示出非常好的光学和光电学特性，与体材料差别很大。本项目采用第一性原理计算方法，系统研究低维ZnS材料的掺杂磁性质，寻找可能的室温铁磁性材料，为实验制备和实际应用提供理论参考。

结论摘要：

课题组在项目负责人博士研究阶段成果的基础上，采用第一性原理计算相结合的方法，系统的研究了低维ZnS材料的结构和性质。主要研究了一维ZnS纳米管的结构、电学性质、力学性质以及掺杂磁性质。为了比较II-VI族化合物的差异，我们同时还研究了零维ZnO和ZnTe团簇的掺杂磁性质。目前已完成了任务书中规定的研究内容，在核心期刊上共发表5篇论文（含已接受）。另外，还有三篇相关论文于20113年底已投国外的SCI源期刊，正在审稿中。