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过渡金属掺杂与堆垛缺陷协同增强SiC晶须介电性能研究
  • 项目名称：过渡金属掺杂与堆垛缺陷协同增强SiC晶须介电性能研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51572018
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：曹文斌
  • 依托单位：北京科技大学
  • 批准年度：2015
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