中文摘要：

金属磁性纳米材料中的自旋结构、自旋动力学与自旋流和高居里温度稀磁半导体是当前磁电子材料研究的非常重要的方面，对深入理解低维量子受限体系的磁性、超高磁记录密度与新型自旋电子材料探索有非常重要的意义。本项研究计划利用分子束外延等先进生长技术，在原子水平控制磁性金属量子点、金属纳米线的生长，研究低维磁性和量子特性，自旋结构、自旋动力学和自旋流的基本物理问题。通过量子受限和调整掺杂的能带工程来增加Mn位附近的空穴浓度来实现IV族稀磁半导体材料居里温度的提高，深入研究铁磁性的来源。解决磁性纳米结构等受限体系中自旋量子调控和操纵等科学问题，解决磁性纳米金属材料在超高密度存储和自旋电子材料的应用，为探索新一代自旋电子材料提供理论基础。