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InGaAsP量子阱电泵浦光子晶体WGM微腔激光器与输出光波
  • 项目名称:InGaAsP量子阱电泵浦光子晶体WGM微腔激光器与输出光波
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60476029
  • 申请代码:F040304
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2005-01-01-2007-12-31
  • 项目负责人:宁永强
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 批准年度:2004
中文摘要:

本项目研究InGaAsP量子阱电泵浦光子晶体WGM微腔激光器与输出光波导的集成技术。针对激射波长1.55微米的InGaAsP量子阱激光器,采用六角周期的二维光子晶体结构,通过电子束光刻和ICP干法刻蚀技术制作出空气孔列阵,形成包络1.55微米波段的光子禁带。根据圆形或环形耳语回廊模式全内反射微腔激光器的结构参数,如圆直径及环宽度等,在空气孔列阵的光子晶体结构中制备出圆形光子晶体结构线缺陷,使量子阱激光器产生的光子被限制在这个线缺陷内,形成高效耳语回廊模式反馈振荡,实现激射。在此基础上,研制出具有直线形线缺陷的光子晶体输出光波导,与光子晶体微腔激光器集成在一起,使微腔激光器产生的激光耦合到波导中,以获得高效率定向光输出。 耳语回廊模式微腔激光器体积小、效率高。其激光传播是在器件平面内部进行的,与其它耳语回廊模式器件,如谐振器、光开关等集成在一起可以实现超大规模集成。

结论摘要:

半导体耳语回廊模式微腔激光器不需要解理面,发射的激光是在器件平面内部传播。通过在光子晶体结构中引入合适的缺陷态,可以在光子晶体的禁带中出现频宽极窄的缺陷态或局域态,对光子的传播进行控制。在本项目中我们一方面研制能够室温工作的电泵浦结构WGM微腔激光器,一方面研究光子晶体结构模式分布和光传输特性,形成高限制的光输出波导。完成以下工作(1)量子阱材料结构设计和生长针对发射波长808nm、980nm和1.55?m的微腔激光器,设计并采用MOCVD方法生长了GaInAs/GaInAsP等不同结构的多量子阱。(2)GaInAs/GaInAsP多量子阱材料研究采用了多段增益自发发射及放大自发发射方法,对量子阱在不同温度下的自发发射、放大自发发射和光增益等特性进行了研究。(3)完成器件研制工艺研究设计的微环、微碟形结构最小直径为20微米,波导宽度为5微米。(4)光子晶体结构模式特性研究以六边形对称二维光子晶体为基本结构,通过其中缺陷态形成高限制WGM波导,对其模式分布特性进行了研究。发表论文15篇,申请专利3项。参加国际学术会议8人次。培养研究生9人、相关获奖3项,鉴定2项。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 27
  • 0
  • 0
  • 0
  • 1
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期刊论文 49 会议论文 16 获奖 4 专利 8