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SiC异构多型体薄膜的SSMBE制备及其结构的同步辐射表征
  • 项目名称：SiC异构多型体薄膜的SSMBE制备及其结构的同步辐射表征
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50572100
  • 申请代码：E0209
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：徐彭寿
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学技术大学
  • 批准年度：2005
中文摘要：

半导体异质结构和超晶格材料在半导体器件中有着非常重要的应用。而近几年出现的一种新型的由具有不同晶体结构的同种材料构成的异构多型体结构体系则是一种极具应用潜力的新型异质（构）结构和超晶格体系。对SiC异构多型体结构材料的研究，不仅在基础研究上具有重要意义，而且在实际应用中也具有重要价值。本课题将利用固体源分子束外延（SSMBE）生长技术，通过控制生长条件，探索SiC单晶薄膜和异构多型体结构薄膜生长的工艺条件，在Si、SOI或SiC衬底上制备具有不同晶型的SiC异构多型体结构薄膜。利用同步辐射和其它常规实验技术对制备的样品进行原位和非原位的结构表征及光电特性测量，从而揭示这种新型异构多型体结构材料的界面形成、界面原子和电子结构及其对SiC光电特性的影响。

中文主题词： 碳化硅;异构多型体;分子束外延;结构表征;同步辐射
成果综合统计
成果类型
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期刊论文
Carbonization process and SiC formation at C60/Si(111) interface studied by SRPES
Effect of Si/C flux ratio on the growth of 3C-SiC on Si (111) by SSMBE
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构材料制备及其发光特性研究
3C-SiC/Si（111）的掠入射X射线衍射研究
Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长
衬底温度对Si(111)表面MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响
硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响
预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响
一种硅表面化学清洗方法
Simple designs to avoid high voltage discharge in a silican electron beam-heating cell
3C-SiC的能带结构和光学函数的第一性原理计算
Mn/6H-SiC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究
室温下Cu/3C-SiC(111)界面形成的研究
在Si衬底上不同衬底温度预沉积Ge对于生长SiC薄膜的影响
X-ray photoelectron spectroscopy and reflection high energy electron diffraction of epitaxial growth
蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响
6H-SiC(0001)-6√3×6√3 R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
Effect of carbonization and substrate temperature on the growth of 3C-SiC on Si (111) by SSMBE
Effect of different Ge predeposition amounts on SiC grown on Si (111)
α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长
室温下Cu／3C—SiC（111）界面形成的研究
不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响
衬底温度对si（111）衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性
Si（001）表面分子束外延生长的小尺寸Ge量子点
6H-SiC（0001）-6√3×6√3R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构表征
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