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　HVPE法制备GaN同质衬底技术研究
  • 项目名称：　HVPE法制备GaN同质衬底技术研究
  • 批准号：2006AA03A144
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：赖占平
  • 依托单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 0
  • 0
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期刊论文
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