本项目拟建立正电子寿命-动量关联测量技术,并运用这一新的测量分析方法,以正电子在多孔材料中形成的正电子素作为探测多孔硅孔隙表面状态以及孔隙内部电子动量分布的微探针,通过研究多普勒展宽能谱随时间的变化、电子偶素形成和热化过程以及电子动量分布随时间的变化过程,对多孔硅材料微观结构进行表征。同时,结合二维符合多普勒测量方法,系统研究吸附不同杂质原子对多孔硅孔隙性质的影响,研究和探讨多孔硅发光机制以及宏观特性的微观机理。项目的完成对完善正电子谱学测量方法以及今后在北京慢正电子强束流系统建立该方法都具有积极的意义。