中文摘要：

材料的维度降低，会产生新的量子效应，因而减少了两个维度的纳米线现在倍受关注。本课题着眼于具有更多带隙结构选择的III-V族半导体材料GaN/InGaN，研究其形成多壳层同轴纳米线结构的光伏特性。在研究中，我们利用第一原理计算进行电子结构预测，分析直径、生长方向和静压力对能带结构的影响，开发了针对缺陷的电子声子耦合的计算程序，对GaN中的点空位进行模拟计算；采用HVPE方法生长了直径为20~50nm，长度在500~1000nm间的GaN纳米线；在原子力显微镜（AFM）上结合自主研发的表面光电压谱仪（SPS）进行结构和光伏特性的测量，并采用有标记铜网进行了TEM、SEM、CL和AFM的同位测量，实现了多种测量手段对于同一根纳米线晶体结构、发光特性的深入研究。