通过三年的努力,完成了原计划书中设定的研究内容,实现了预期的目标。 1.发现了Ag、Cu等过渡元素掺杂后Bi(Sb)-Te基合金内萌生出独特的金属相的结构;创造性地制备出由新萌生金属相和Bi(Sb)-Te基合金形成的赝两元化合物。阐明了新萌生金属相对热电性能的巨大贡献。最高热电优值可达1.26,达到了目前国内外中低温热电材料中较高的性能,并获得了自主知识产权。同时发现了金属锑化物材料内部独特的树根状组织结构并分析了其成分和形成机制,及该组织结构对协调材料内部声子和载流子输运的独特作用。 2.利用资助经费还开展了宽禁带A2IIIB3VI型In-Se和Ga-Te基热电半导体的开发与研究。初步阐明了通过修饰两种A2IIIB3VI基化合物的能带结构可以实现大幅度改善电学性能的思想;以及获取超结构、纳米畴等复合组织可以大幅度降低两种A2IIIB3VI基半导体的晶格热导率。项目实施后,在国内外重要杂志上发表了学术论文13篇,其中在国际期刊上发表了11篇,被SCI检索论文11篇。申请国家发明专利6项,其中3项已授权。研究成果获得了国内外同行的好评。培养研究生9名,其中5名已毕业,并取得相应学位
英文主题词Bi(Sb)-Te based materials; Newly precipitated nano phases; doping with transtion metals; Semiconductors with wind bandgap; Metallic antimonides