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　GaN基深紫外LED材料的外延技术
  • 项目名称：　GaN基深紫外LED材料的外延技术
  • 批准号：2006AA03A108
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：郝跃
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
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期刊论文
Reliability analysis of GaN-based light emitting diodes for solid state illumination
郝跃的项目
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期刊论文 17
超深亚微米新型槽栅CMOS器件及相关技术研究
期刊论文 31 会议论文 1
GaN宽禁带微电子材料和器件重大基础问题研究
期刊论文 159 专利 16
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