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分子束外延生长的低维结构半导体在位光谱实验研究
  • 项目名称:分子束外延生长的低维结构半导体在位光谱实验研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:69676014
  • 申请代码:F040503
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:1997-01-01-1999-12-01
  • 项目负责人:陆卫
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
  • 批准年度:1996
中文摘要:

建立了任务要求的原位光谱系统,并应用该系统获得了丰富的光谱结果;通过光谱的研究,已发表学术论文12篇。在实验系统的研制上通过在光谱采集系统的光路特殊配置与可重复高稳定性地光谱测量上的技术突破,使系统实现了分子束外延系统中原位样品的微弱光谱信号高灵敏度测量,其信噪比优于100,从而可成功地探测出5个原子层内受限电子能态间的光跃迁。在国际上对这种超薄的又含有表面影响的材料可探测且与材料生长系统集成系统尚未见报道。含表面的受限电子能态研究方面直接给出了表面对近表面价态民子的影响。观察和研究了表面δ掺杂结构中限制态到连续态的跃迁和表面量子台阶体系中共振态之间的光跃迁特性,这些结果在国际上均属首次观测。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 12
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
陆卫的项目
期刊论文 77 获奖 2 著作 1