在硅衬底上用单根II－VI族化合物半导体纳米线组装发光器件-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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在硅衬底上用单根II－VI族化合物半导体纳米线组装发光器件

项目名称：在硅衬底上用单根II－VI族化合物半导体纳米线组装发光器件
项目类别：面上项目
批准号：60376030
申请代码：F040301
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2004-01-01-2006-12-31

项目负责人：冉广照
负责人职称：教授
依托单位：北京大学
批准年度：2003

中文摘要：

II－VI族化合物半导体是很强的发光材料，硅是最重要的微电子材料，二者结合，可为硅基光电集成提供一种线索。本项目拟采用激光烧蚀或热输运法制备尺寸可控的II－VI族化合物半导体纳米线；研究单根纳米线的光致发光特征；进而利用电子束光刻，聚焦离子束等手段在硅衬底上制作成异质结单根纳米线发光器件；研究器件的电致发光特征和产生激射的条件。

中文主题词： II-VI族半导体, 硅, 纳米线, 电致发光, 有机发光器

英文摘要：

II-VI semiconductor; Si; nanow

英文主题词： II-VI semiconductor; Si; nanow

结论摘要：

本项目综合利用II－VI族化合物半导体优秀的发光特性和硅优秀的微电子特性, 找寻硅基光电集成的新线索。按计划实现了几种II-VI半导体纳米线的可控生长, 并在硅衬底上实现了单根II-VI族半导体纳米线的电致发光. 同时, 我们拓宽原有思路, 实现了硅衬底上有机分子的高效发光, 报道了国际上同类型器件的最高发光效率. 项目共完成SCI论文18篇, 含Appl. Phys. Lett. 3篇.已申请并被受理的发明专利4 项.

成果综合统计