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中文摘要：
以II－VI族化合物半导体晶体生长过程为背景，将工程热物理的基本理论与晶体材料的制备过程联系起来，研究晶体生长过程中的传热、传质、对流及其耦合效应；掺杂、点缺陷及其沉淀相形成的热力学与动力学规律；位错、孪晶形成机制及其与其他缺陷的交互作用；晶体生长过程的热物理多场反问题监测与辨识理论；探索晶体组织的多尺度模型及数值求解方法。通过对上述理论问题的研究，建立材料制备过程的外场条件与材料内部结构、性质演
结论摘要：
以II－VI族化合物半导体晶体生长和改性为应用背景，将工程热物理的基本理论与晶体材料的制备过程联系起来，开展了晶体生长过程和后处理过程的热力学和动力学问题的研究。主要研究成果包括(1)基于对溶质分凝行为的分析发展了化合物半导体晶体生长新方法；(2)揭示并描述了化合物半导体晶体生长过程的成分、掺杂与杂质的偏析规律；(3)基于化合物半导体晶体-气相平衡分析，提出了点缺陷的控制原理和方法；(4)探索出典型II-VI族化合物晶体的表面与界面特性表征方法；(5)通过数值计算揭示了化合物半导体晶体生长过程中的双扩散对流与非等温相变规律；(6)通过文献分析，获得了典型化合物半导体系统的热物性参数；(7)建立了晶体生长过程中结晶界面形态演变与液相区热物理场分布规律实验与数值计算方法并取得新结果。同时，在辐射探测器用CdZnTe晶体等５种化合物半导体晶体的制备技术和性能表征上取得重要进展。 共发表学术论文137篇，其中国际刊物60篇，国内核心刊物41篇，其中SCI收录论文53篇，EI收录论文65篇，ISTP收录论文3篇。申请中国发明专利５项，其中已授权２项。培养博士研究生26人，其中已毕业
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