自旋电子学是近年来发展十分迅速的一个研究领域,有望带来自旋场效应晶体管、自旋滤波器等全新的电子学器件,这一领域的发展很大程度上取决于具有高自旋极化率、长自旋弛豫时间的新材料的探索。稀磁半导体材料是此类工作的一个很重要的方面。居里温度在室温以上的Co掺杂的TiO2等稀磁氧化物半导体吸引了众多的研究者。本工作利用脉冲激光蒸镀的方法制备新型稀磁氧化物半导体材料的薄膜及探索新的稀磁氧化物半导体材料。制备稀磁氧