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利用自旋噪音谱来实验研究稀磁性半导体中的临界现象
  • 项目名称:利用自旋噪音谱来实验研究稀磁性半导体中的临界现象
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:10674129
  • 申请代码:A0402
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2007-01-01-2009-12-31
  • 项目负责人:姬扬
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院半导体研究所
  • 批准年度:2006
中文摘要:

本项目计划建立自旋噪音谱的测量系统,并利用这一新技术来实验研究稀磁性半导体材料在居里点(铁磁相变的临界温度)附近的临界现象。经过三年的努力,却没有能够达到预期结果,自旋噪音谱测量系统稳定性不够好,尽管得到一些实验结果,但不足以研究预期目标。在项目进行过程中,我们又重新选择了一条研究路线,建立了基于高速数据采集卡和数字滤波技术的改进方案,使得我们能够通过电学噪音测量来实验研究稀磁性半导体材料在临界点处的物理性质。在研究过程中还发现了一些新现象。

结论摘要:

英文主题词critical phenomena, spin, spin noise, dilute semiconductor


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
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